Análisis del diseño de un transistor de efecto de campo con aisladores de alta k

Ahmed Mohammed, Arsen and Demirel, Huseyin and Khalaf Mahmood, Zaidoon (2023) Análisis del diseño de un transistor de efecto de campo con aisladores de alta k. Nexo Revista Científica, 36 (06). pp. 892-905. ISSN 1995-9516

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Abstract

En este artículo, integramos un transistor de efecto de campo de aletas con aisladores de alta k para investigar el diseño óptimo de transistores de efecto de campo químicos con el fin de brindar una mayor inductancia (resultando en una relación de transmisión más alta), una amplitud mejorada y una sustancia basada en resultados. Se utilizó la detección de pH para probar el diseño. Investigamos la capacidad de respuesta y linealidad del dióxido de silicio, óxido y óxido de hafnio como materiales electromagnéticos de detección de pH, así como su resistencia química en varios ácidos. La gran relación de componentes del dispositivo y la forma de aleta permiten altas corrientes y un canal conductor planar más confiable que los nanocables de silicio convencionales. La arquitectura del transistor de efecto de campo de aletas de óxido de hafnio brindó los mejores resultados, con las características más lineales de generación y rotación y un rango dinámico más amplio. La estabilidad química del óxido de hafnio también fue la mejor. Como resultado, creemos que la combinación de transistores de efecto de campo de aletas de gran relación de componentes/dieléctrico de alta k puede brindar la equidad de proceso óptima para los sensores basados ​​en transistores de efecto de campo. Los autores proponen una nueva aproximación de inducción integrada sin fisuras con un resonador cuaternario. Solo un transportador de corriente de voltaje divergente modificado perjudicial, uno de los sintetizadores cuaternarios sugeridos, utiliza una entrada Z, un rectificador y dos capacitadores cruzados. En el emulador de circuito aislado unidireccional previsto, solo se utiliza un alimentador de salida eléctrica dividido personalizado con un solo electrodo Z, dos interruptores y el primer capacitor neutro. La simulación de circuito enraizado sin fisuras sugerida solo requiere un criterio específico de compatibilidad de constituyentes pasivos. Además, el simulador de inductor conectado a tierra sin pérdidas sugerido produce una aplicación de filtro de anillo. Para ilustrar el rendimiento de todos los circuitos, se realizó una variedad de modelos utilizando el software LTSPICE, el parámetro 7 nm de Cadence Virtuoso y análisis de datos.

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